V50100P-E3/45和V50100PW-M3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 V50100P-E3/45 V50100PW-M3/4W

描述 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.375 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 ATMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,30A 至 80A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-3-3 TO-3-3

正向电压 780mV @25A 840mV @25A

正向电流 50 A 25 A

正向电压(Max) - 840mV @25A

正向电流(Max) - 50 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃

额定电压(DC) 100 V -

额定电流 50.0 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 350 A -

长度 16.4 mm 16.38 mm

宽度 5.16 mm 4.45 mm

高度 21.3 mm 21.34 mm

封装 TO-3-3 TO-3-3

工作温度 40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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