对比图
型号 IRF640NSPBF IRF640NSTRLPBF IRF640SPBF
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NSPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK 新INFINEON IRF640NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 - 150 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.15 Ω 0.15 Ω 0.18 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 150 W 130 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 - 1160 pF -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18A 18.0 A
上升时间 19 ns 19 ns 51 ns
输入电容(Ciss) 1160pF @25V(Vds) 1160pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 150 W 130 W
下降时间 5.5 ns 5.5 ns 36 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150000 mW 150W (Tc) 130 W
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 18.0 A - -
产品系列 IRF640NS - -
漏源击穿电压 200 V - -
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm 9.65 mm
高度 - 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
最小包装 - - 2000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - -