1N6061A和JAN1N6062A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6061A JAN1N6062A 1N6165A

描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 70V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-13,1500 WATT双向瞬态电压抑制器 1500 WATT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

数据手册 ---

制造商 Sensitron Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管

基础参数对比

引脚数 2 - 2

封装 DO-13 DO-13 C

安装方式 - Through Hole Through Hole

钳位电压 113 V - 125.1 V

测试电流 1 mA - 15 mA

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

工作结温 -65℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃

最大反向电压(Vrrm) - 75V 69.2V

最小反向击穿电压 - - 86.5 V

击穿电压 - - 86.5 V

封装 DO-13 DO-13 C

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Bag

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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