BAS20,215和BAS20LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS20,215 BAS20LT1G BAS19LT1G

描述 NXP  BAS20,215  二极管 小信号, 单, 200 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AON SEMICONDUCTOR  BAS20LT1G  二极管 小信号, 单, 200 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mAON SEMICONDUCTOR  BAS19LT1G  二极管 小信号, 单, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 小信号二极管小信号二极管小信号二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

电容 - 5 pF 5 pF

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

输出电流 - ≤200 mA ≤200 mA

负载电流 - 0.2 A 0.2 A

针脚数 3 3 3

正向电压 1.25V @200mA 1.25 V 1.25 V

极性 - Standard Standard

耗散功率 - 385 mW 385 mW

热阻 500℃/W (RθJA) 417℃/W (RθJA) 417℃/W (RθJA)

反向恢复时间 50 ns 50 ns 50 ns

正向电流 200 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 9 A 625 mA 625 mA

正向电压(Max) 1.25 V 1.25 V 1.25 V

正向电流(Max) 200 mA 200 mA 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

工作结温 150℃ (Max) - -

长度 3 mm 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 1 mm 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 150 ℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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