对比图
型号 SI5513CDC-T1-GE3 SI5513DC-T1-GE3 SI5513DC-T1-E3
描述 Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/2.4AMOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 8
封装 SMD-8 SMD-8 1206
漏源极电阻 - - 75 mΩ
耗散功率 - - 1.1 W
阈值电压 - - 1.5 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
热阻 - - 90℃/W (RθJA)
额定功率(Max) 3.1 W 1.1 W 1.1 W
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
输入电容(Ciss) 285pF @10V(Vds) - -
长度 - - 3.1 mm
高度 - - 1.1 mm
封装 SMD-8 SMD-8 1206
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2014/06/16