BUK7608-40B,118和IPB100N04S3-03

对比图

型号 BUK7608-40B,118 IPB100N04S3-03 BUK7608-40B

描述 D2PAK N-CH 40V 101A的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorN沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 157 W 214 W -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 101A 100A 101A

上升时间 51 ns 16 ns -

输入电容(Ciss) 2689pF @25V(Vds) 9600pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 157 W 214 W -

下降时间 33 ns 17 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) 157W (Tc) 214W (Tc) -

长度 - 10 mm -

宽度 - 9.25 mm -

高度 - 4.4 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -