对比图
型号 IXFN44N50Q IXTN36N50 IXFN80N50
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N50Q 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 44 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 VIXYS SEMICONDUCTOR IXTN36N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFN80N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 80 A, 500 V, 55 mohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Chassis Screw
引脚数 3 3 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
额定电压(DC) - - 500 V
额定电流 - - 80.0 A
通道数 - - 1
针脚数 3 3 4
漏源极电阻 120 mΩ 0.12 Ω 0.055 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 500 W 400 W 780 W
阈值电压 4 V 5 V 4.5 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - - 500 V
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 36.0 A 80.0 A
上升时间 - - 70 ns
输入电容(Ciss) 7000pF @25V(Vds) 8500pF @25V(Vds) 9890pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 780 W
下降时间 - - 27 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - - 150 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 400000 mW 700W (Tc)
隔离电压 2.50 kV - -
长度 - - 38.23 mm
宽度 - - 25.42 mm
高度 - - 9.6 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
材质 - - Silicon
重量 44.0 g - 0.000036 kg
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15