IR21368S和IR21368SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR21368S IR21368SPBF

描述 MOSFET DRVR 600V 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC WMOSFET DRVR 600V 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC W

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 28

封装 SOIC SOIC-28

电源电压(DC) - 10.0V (min)

上升/下降时间 - 125ns, 50ns

输出接口数 - 6

输出电压 - 0.3 V

输出电流 0.2 A 200 mA

耗散功率 - 1600 mW

上升时间 - 190 ns

下降时间 - 75 ns

下降时间(Max) - 75 ns

上升时间(Max) - 190 ns

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 1600 mW

电源电压 - 10V ~ 20V

电源电压(Max) - 20 V

电源电压(Min) - 10 V

长度 - 18.1 mm

宽度 - 7.6 mm

高度 - 2.35 mm

封装 SOIC SOIC-28

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

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