FTD2017M和STC6NF30V的区别_FTD2017M代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 FTD2017M STC6NF30V FTD2017A

描述 N-Channel Silicon MOSFETN沟道30V - 0.020ohm - 6A - TSSOP8 2.5V驱动STripFE TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.020ohm - 6A - TSSOP8 2.5V-drive STripFE TM II Power MOSFETNch+Nch

数据手册 ---

制造商 Sanyo Semiconductor (三洋) ST Microelectronics (意法半导体) Sanyo Semiconductor (三洋)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 8 -

封装 TSSOP TSSOP-8 TSSOP

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 6.00 A -

漏源极电阻 - 20.0 mΩ -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 1.5 W -

漏源极电压(Vds) - 30 V -

漏源击穿电压 - 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 6.00 A -

上升时间 - 25 ns -

输入电容(Ciss) - 800pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 1.5 W -

下降时间 - 13 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1500 mW -

长度 - 3 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 1 mm -

封装 TSSOP TSSOP-8 TSSOP

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -