对比图
型号 FQU13N06LTU STD12NF06L-1 FQU13N06LTU_WS
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU13N06LTU 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.5 VN沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3Pin(3+Tab) IPAK Tube
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 11.0 A 12.0 A -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.092 Ω 0.06 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 28 W 42.8 W 2.5 W
阈值电压 2.5 V 2 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 12.0 A 11A
上升时间 90 ns 35 ns -
输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 30 W 2.5 W
下降时间 40 ns 13 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 42.8W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
通道数 1 - -
高度 6.1 mm 6.2 mm -
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
长度 6.6 mm - -
宽度 2.3 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99