对比图
型号 IXFH150N20T IXFT150N20T
描述 N沟道 200V 150ATO-268AA N-CH 200V 150A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-3
通道数 1 -
极性 N-CH N-CH
耗散功率 890W (Tc) 890W (Tc)
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 150A 150A
上升时间 12 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 11700pF @25V(Vds) 11700pF @25V(Vds)
下降时间 12 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 890W (Tc) 890W (Tc)
输入电容 - 11.7 nF
封装 TO-247-3 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free