IXFH150N20T和IXFT150N20T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH150N20T IXFT150N20T

描述 N沟道 200V 150ATO-268AA N-CH 200V 150A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-3

通道数 1 -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 890W (Tc) 890W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 150A 150A

上升时间 12 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 11700pF @25V(Vds) 11700pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 890W (Tc) 890W (Tc)

输入电容 - 11.7 nF

封装 TO-247-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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