MMBTA92LT3和MMBTA92LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTA92LT3 MMBTA92LT3G

描述 高压晶体管( PNP硅) High Voltage Transistors(PNP Silicon)高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP Silicon

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -300 V -300 V

额定电流 -500 mA -500 mA

极性 PNP PNP

耗散功率 225 mW 0.3 W

增益频宽积 600 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.05A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @30mA, 10V 25 @30mA, 10V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW

频率 - 50 MHz

直流电流增益(hFE) - 40

长度 2.9 mm -

宽度 1.3 mm -

高度 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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