对比图
型号 IS43LR16160F-6BL IS43LR16160G-6BL
描述 动态随机存取存储器 256M 1.8V 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器DDR DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-60
数据手册 --
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 60 60
封装 BGA-60 TFBGA-60
供电电流 - 110 mA
位数 - 16
存取时间 6 ns 5.5 ns
存取时间(Max) - 8ns, 5.5ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V
封装 BGA-60 TFBGA-60
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅
ECCN代码 - EAR99