BLF6G22LS-130和BLF6G22LS-130,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G22LS-130 BLF6G22LS-130,112 BLF6G22LS-130,118

描述 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistorTrans RF MOSFET N-CH 65V 34A 3Pin SOT-502B BulkTrans RF MOSFET N-CH 65V 34A 3Pin SOT-502B T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

封装 SOT-502 2-LDMOST, SOT502B SOT502B

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 3 - -

频率 - 2.11 GHz -

额定电流 - 34 A -

增益 - 17 dB -

测试电流 - 1.1 A -

工作温度(Max) 225 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 SOT-502 2-LDMOST, SOT502B SOT502B

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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