STGP30NC60S和STGP35HF60W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STGP30NC60S STGP35HF60W HGTP12N60A4D

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 55A 175000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 TubeSTGP35HF60W 系列 600 V 60 A 法兰安装 超快 IGBT - TO-220FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTP12N60A4D  单晶体管, IGBT, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 175000 mW 200 W 167 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 175 W 200 W 167 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 175000 mW 200000 mW 167000 mW

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 54.0 A

针脚数 - - 3

极性 - - N-Channel

上升时间 - - 8 ns

反向恢复时间 - - 30 ns

下降时间 - - 18 ns

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - - 10.28 mm

宽度 - - 4.57 mm

高度 - - 9.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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