LT1014DMDW和LT1014DSW#TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LT1014DMDW LT1014DSW#TRPBF LT1014DIDW

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LT1014DMDW  芯片, 运算放大器, 1MHZ, 0.4V/ US, SOIC-16OP Amp Quad GP ±22V/44V 16Pin SOIC W T/RTEXAS INSTRUMENTS  LT1014DIDW..  运算放大器, 四路, 1 MHz, 4个放大器, 0.4 V/µs, ± 2V 至 ± 18V, SOIC, 16 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Linear Technology (凌力尔特) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

供电电流 350 µA 350 µA 350 µA

电路数 4 4 4

通道数 4 4 4

针脚数 16 - 16

耗散功率 1.025 W - 1.025 W

共模抑制比 97 dB - 97 dB

输入补偿漂移 500 nV/K - 500 nV/K

带宽 1 MHz - 1 MHz

转换速率 400 mV/μs 400 mV/μs 400 mV/μs

增益频宽积 1 MHz - 1 MHz

输入补偿电压 200 µV 200 µV 200 µV

输入偏置电流 12 nA 15 nA 12 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 70 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 1 MHz 97 dB 1 MHz

耗散功率(Max) 1025 mW - 1025 mW

共模抑制比(Min) 97 dB 95dB ~ 105dB 97 dB

电源电压 44 V - -

长度 10.5 mm - 10.28 mm

宽度 7.6 mm - 7.52 mm

高度 2.35 mm 2.34 mm 2.35 mm

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 -55℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

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