RBV2506和SB256M

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RBV2506 SB256M GBPC2506-T

描述 SILICON BRIDGE RECTIFIERS600V 25ABridge Rectifier Diode, 25A, 600V V(RRM)

数据手册 ---

制造商 EIC Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

引脚数 4 - -

封装 RBV-25 - -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 300 A - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

最大反向电压(Vrrm) - 600V -

正向电流 - 25 A -

封装 RBV-25 - -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

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