IXTQ30N50L2和IXTT30N50L2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTQ30N50L2 IXTT30N50L2 IXTH30N50L2

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ30N50L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 VIXYS SEMICONDUCTOR  IXTT30N50L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 VIXYS SEMICONDUCTOR  IXTH30N50L2  晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-247-3

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.2 Ω 0.2 Ω 200 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 400 W 400 W 400 W

阈值电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V -

输入电容(Ciss) 8100pF @25V(Vds) 8100pF @25V(Vds) 8100pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

上升时间 117 ns - 117 ns

下降时间 40 ns - 40 ns

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

连续漏极电流(Ids) 30A - -

额定功率(Max) 400 W - -

封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-247-3

长度 15.8 mm - -

宽度 4.9 mm - -

高度 20.3 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2017/01/12 2015/06/15 2015/06/15

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