对比图
型号 IXTQ30N50L2 IXTT30N50L2 IXTH30N50L2
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ30N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXTT30N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXTH30N50L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-247-3
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.2 Ω 0.2 Ω 200 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 400 W 400 W 400 W
阈值电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V -
输入电容(Ciss) 8100pF @25V(Vds) 8100pF @25V(Vds) 8100pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)
上升时间 117 ns - 117 ns
下降时间 40 ns - 40 ns
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
连续漏极电流(Ids) 30A - -
额定功率(Max) 400 W - -
封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-247-3
长度 15.8 mm - -
宽度 4.9 mm - -
高度 20.3 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2017/01/12 2015/06/15 2015/06/15