IRFZ44ZS和RFD14N06LSM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ44ZS RFD14N06LSM IRFZ44ZSPBF

描述 D2PAK N-CH 55V 51A14A , 60V , 0.100欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETsINFINEON  IRFZ44ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 13.9 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Intersil (英特矽尔) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 TO-263-3 - TO-263-3

引脚数 - - 3

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 80W (Tc) - 80 W

漏源极电压(Vds) 55 V - 55 V

连续漏极电流(Ids) 51A - 51A

输入电容(Ciss) 1420pF @25V(Vds) - 1420pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 80W (Tc) - 80000 mW

额定功率 - - 80 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0139 Ω

阈值电压 - - 4 V

漏源击穿电压 - - 55 V

上升时间 - - 68 ns

下降时间 - - 41 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-263-3 - TO-263-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 - - Tube

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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