IXTK20N150和IXTX20N150

对比图

型号 IXTK20N150 IXTX20N150 TX20

描述 N沟道 1.5kV 20AN沟道 1.5kV 20APower Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1500V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-264-3 TO-247-3 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 1250W (Tc) 1250 W -

漏源极电压(Vds) 1500 V 1500 V -

连续漏极电流(Ids) 20A 20A -

上升时间 30 ns 30 ns -

输入电容(Ciss) 7800pF @25V(Vds) 7800pF @25V(Vds) -

下降时间 33 ns 33 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1250W (Tc) 1250W (Tc) -

长度 - 16.13 mm -

封装 TO-264-3 TO-247-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -