IPD90N04S3-04和BUK953R2-40E,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD90N04S3-04 BUK953R2-40E,127 BUK9E3R2-40E,127

描述 Infineon OptiMOS™T 功率 MOSFETOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品(符合 RoHS 标准) ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能TO-220AB N-CH 40V 100AI2PAK N-CH 40V 100A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-262-3

引脚数 3 - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 136000 mW 234W (Tc) 234W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 90A 100A 100A

输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 9150pF @25V(Vds) 9150pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 136 W 234 W 234 W

耗散功率(Max) 136 W 234W (Tc) 234W (Tc)

上升时间 13 ns - -

下降时间 10 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-262-3

长度 6.5 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.3 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

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