BC546A和BC546TAR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC546A BC546TAR BC549B

描述 Transistor: NPN; bipolar; 65V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3Pin TO-92 AmmoTransistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92

频率 300 MHz - 300 MHz

额定功率 - - 500 mW

耗散功率 0.5 W - 500 mW

增益频宽积 300 MHz - 300 MHz

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 110 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92

材质 Silicon - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Roll, Tape - Ammo Pack

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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