对比图
型号 IXTH75N10L2 IXTT75N10L2
描述 N沟道 100V 75AN沟道 100V 75A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 400 W 400 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 75A 75A
上升时间 14 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 8100pF @25V(Vds) 8100pF @25V(Vds)
下降时间 15 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc)
通道数 - 1
漏源极电阻 - 21 mΩ
阈值电压 - 2.5V ~ 4.5V
漏源击穿电压 - 100 V
额定功率(Max) - 400 W
封装 TO-247-3 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free