对比图
型号 IPP60R199CP IPW60R199CP IPI60R199CP
描述 Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-262-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 650 V
额定电流 16.0 A 16.0 A 16.0 A
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.18 Ω 199 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 139 W 139 W 139 W
阈值电压 3 V 3 V -
输入电容 1.52 nF 1.52 nF 1.52 nF
栅电荷 43.0 nC 43.0 nC 43.0 nC
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 16.0 A 16.0 A
上升时间 5 ns 5 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 1520pF @100V(Vds) 1520pF @100V(Vds) 1520pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 139 W - 139 W
下降时间 5 ns 5 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 139 W 139W (Tc) -
长度 10 mm 16.13 mm 10.2 mm
宽度 4.4 mm 5.21 mm 4.5 mm
高度 15.65 mm 21.1 mm 9.45 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/12/17 -