MMBV2101LT1和MMBV2101LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBV2101LT1 MMBV2101LT1G MMVL105GT1

描述 硅调谐二极管 Silicon Tuning Diodes硅调谐二极管 Silicon Tuning DiodesSilicon Tuning Diode

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 变容二极管变容二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

电容 6.80 pF 6.80 pF -

极性 Standard Standard -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

高度 0.94 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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