对比图
描述 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-251 TO-251-3
额定电压(DC) - 600 V
额定电流 - 7.30 A
极性 N-CH N-CH
耗散功率 - 83000 mW
输入电容 - 970 pF
栅电荷 - 35.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 7.3A 7.30 A
上升时间 - 40 ns
输入电容(Ciss) - 970pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 83 W
下降时间 - 20 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 83W (Tc)
长度 - 6.73 mm
宽度 - 2.38 mm
高度 - 6.22 mm
封装 TO-251 TO-251-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free