BZD27C200P和BZD27C200P-GS08

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZD27C200P BZD27C200P-GS08

描述 800mW,BZD27C 系列,Taiwan Semiconductor### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification

数据手册 --

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole

引脚数 2 2

封装 SMD DO-219AB

针脚数 2 -

耗散功率 800 mW 800 mW

测试电流 4 mA 5 mA

稳压值 200 V 200 V

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW

正向电压(Max) - 1.2V @200mA

额定功率(Max) - 800 mW

封装 SMD DO-219AB

长度 2.9 mm -

宽度 1.9 mm -

高度 1.43 mm 1.08 mm

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

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