M36W108AB120ZM5T和M36W108AT120ZM1T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M36W108AB120ZM5T M36W108AT120ZM1T M36W108AB120ZM6T

描述 8兆位1Mb的X8 ,引导块闪存和1兆位128KB SRAM X8低电压多的内存产品 8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory ProductMemory Circuit, 1MX8, PBGA48, 1MM PITCH, LBGA-488兆位1Mb的X8 ,引导块闪存和1兆位128KB SRAM X8低电压多的内存产品 8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Flash Memory and 1 Mbit 128Kb x8 SRAM Low Voltage Multi-Memory Product

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Numonyx ST Microelectronics (意法半导体)

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

封装 LBGA LBGA LBGA

封装 LBGA LBGA LBGA

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

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