IXFH20N80P和IXFV20N80P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH20N80P IXFV20N80P IXFT20N80P

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3Pin(3+Tab) TO-247Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3Pin(2+Tab) TO-268

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-268-3

引脚数 - - 3

通道数 1 1 1

耗散功率 500 W 500 W 500 W

阈值电压 5 V - 5 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

输入电容(Ciss) 4685pF @25V(Vds) 4685pF @25V(Vds) 4685pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 500W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc)

漏源极电阻 - 520 mΩ 520 mΩ

漏源击穿电压 - 800 V 800 V

上升时间 - 24 ns 24 ns

下降时间 - 24 ns 24 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ 55 ℃

宽度 5.3 mm 4.7 mm 14 mm

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-268-3

长度 - 11 mm 16.05 mm

高度 - 15 mm 5.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台