ISL9003AIRUBZ-T和ISL9008AIRUBZ-T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ISL9003AIRUBZ-T ISL9008AIRUBZ-T

描述 Low Noise LDO with Low IQ and High PSRR低噪声LDO具有低IQ ,高PSRR Low Noise LDO with Low IQ, High PSRR

数据手册 --

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Intersil (英特矽尔)

分类 稳压芯片

基础参数对比

封装 UFDFN-6 UFDFN-6

安装方式 - Surface Mount

输出电压 1.5 V 1.5 V

输出电流 150 mA 150 mA

输入电压 2.3V ~ 6.5V 2.3V ~ 6.5V

输出接口数 - 1

静态电流 - 0.046 mA

跌落电压 - 0.3V @150mA

输入电压(Max) - 6.5 V

输入电压(Min) - 2.3 V

精度 - ±0.8 %

封装 UFDFN-6 UFDFN-6

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -40℃ ~ 85℃

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