FQD7P06TM和STD10P6F6

对比图

型号 FQD7P06TM STD10P6F6 FQD7P06TF

描述 ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD7P06TM, 5.4 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.36 Ω 0.13 Ω 450 mΩ

极性 - P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 35 W 2.5 W

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 - 340 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60 V -

上升时间 50 ns 5.3 ns 50 ns

正向电压(Max) - 1.1 V -

输入电容(Ciss) 225pF @25V(Vds) 340pF @48V(Vds) 295pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 35 W -

下降时间 25 ns 3.7 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2500 mW 35W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -5.40 A

栅源击穿电压 - - ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 5.40 A

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 7.45 mm -

高度 2.39 mm 2.38 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99