IRFBG20和IRFBG20PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFBG20 IRFBG20PBF

描述 MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220ABTrans MOSFET N-CH 1kV 1.4A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 54W (Tc) 54W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V

输入电容(Ciss) 500pF @25V(Vds) 500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 54 W

耗散功率(Max) 54W (Tc) 54W (Tc)

通道数 1 -

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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