MRF175GU和UF28150J

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF175GU UF28150J MRF175LU

描述 N沟道MOS宽带射频功率FET N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs功率MOSFET晶体管150瓦, 100 - 500兆赫, 28 V POWER MOSFET TRANSISTOR 150 WATTS, 100 - 500 MHz, 28 VN沟道宽带射频功率FET N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FETs

数据手册 ---

制造商 M/A-Com M/A-Com M/A-Com

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

封装 375-04 375-04 333-04

引脚数 - 5 4

安装方式 - Surface Mount -

频率 225 MHz 100MHz ~ 500MHz 400 MHz

额定电流 26 A - -

输出功率 200 W 150 W 100 W

增益 14 dB 8 dB 10 dB

测试电流 100 mA 400 mA 100 mA

额定电压 65 V 65 V 65 V

阈值电压 - 6 V 3 V

输入电容(Ciss) - - 180pF @28V(Vds)

耗散功率(Max) - 233000 mW 270000 mW

耗散功率 - 389 W -

漏源击穿电压 - 65 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

封装 375-04 375-04 333-04

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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