对比图
型号 IXFN24N100F IXFX26N100P IXFK26N100P
描述 IXYS RF IXFN24N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 24 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227BPLUS N-CH 1000V 20ATrans MOSFET N-CH 1kV 20A 3Pin(3+Tab) TO-264
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 晶体管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
封装 SOT-227-4 TO-247-3 TO-264-3
引脚数 4 - -
通道数 1 1 -
极性 N-Channel N-CH -
耗散功率 600 W 780W (Tc) 780 W
漏源极电压(Vds) 1 kV 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) - 20A -
输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 11900pF @25V(Vds) 11900pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 600W (Tc) 780W (Tc) 780W (Tc)
针脚数 4 - -
漏源极电阻 390 mΩ - -
漏源击穿电压 1000 V - -
上升时间 18 ns - -
下降时间 11 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) 55 ℃ - -
宽度 25.07 mm 5.21 mm -
封装 SOT-227-4 TO-247-3 TO-264-3
长度 38.2 mm - -
高度 9.6 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -