对比图
型号 IXTP32P05T IXTY32P05T IXTA32P05T
描述 TO-220AB P-CH 50V 32ATO-252AA P-CH 50V 32AP沟道 50V 32A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-263-3
通道数 1 - 1
漏源极电阻 39 mΩ - -
极性 P-CH P-CH P-CH
耗散功率 83 W 83W (Tc) 83 W
阈值电压 4.5 V - -
漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V
漏源击穿电压 50 V - -
连续漏极电流(Ids) 32A 32A 32A
上升时间 28 ns - 28 ns
输入电容(Ciss) 1975pF @25V(Vds) 1975pF @25V(Vds) 1975pF @25V(Vds)
下降时间 27 ns - 27 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc) 83W (Tc)
长度 10.66 mm - -
宽度 4.83 mm - -
高度 16 mm - -
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free