JAN1N5550和JANTX1N5550

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5550 JANTX1N5550 JANTXV1N5550

描述 整流器军事批准, 5安培,一般用途 RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 5 AMP, GENERAL PURPOSEDiode Switching Diode 200V 5A 2Pin Case G-4Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, AXIAL PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Semtech Corporation Sensitron Semiconductor

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 2

封装 B, Axial G-4 AXIAL DIODE

反向恢复时间 2 µs 2000 ns 2000 ns

正向电流(Max) 5000 mA 5 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

正向电压 1.2 V - -

正向电流 5000 mA - -

正向电压(Max) 1.2V @9A - -

封装 B, Axial G-4 AXIAL DIODE

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

军工级 Yes - -

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