UPTB12TR7和UPTB12E3/TR7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UPTB12TR7 UPTB12E3/TR7 UPTB12TR13

描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-216AA, PLASTIC, POWERMITE-212V 1000WTrans Voltage Suppressor Diode, 150W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-216AA, PLASTIC, POWERMITE-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管

基础参数对比

封装 DO-216AA DO-216AA DO-216AA

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 2 -

封装 DO-216AA DO-216AA DO-216AA

长度 - 1.91 mm -

宽度 - 1.91 mm -

高度 - 1.02 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

额定电压(DC) - 12.0 V -

额定功率 - 1.00 kW -

钳位电压 - 21.6 V -

最大反向电压(Vrrm) - 12V -

测试电流 - 1 mA -

脉冲峰值功率 - 1000 W -

最小反向击穿电压 - 13.8 V -

击穿电压 - 13.8 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

工作结温 - -65℃ ~ 150℃ -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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