IXFN73N30和IXFN73N30Q

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFN73N30 IXFN73N30Q APT30M40JVR

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN73N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 300 V, 45 mohm, 10 V, 4 VSOT-227B N-CH 300V 73ATrans MOSFET N-CH 300V 70A 4Pin SOT-227

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Chassis Screw

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

引脚数 3 - -

额定电压(DC) 300 V - 300 V

额定电流 73.0 A - 70.0 A

耗散功率 520 W 500W (Tc) 450 W

输入电容 - - 10.2 nF

栅电荷 - - 425 nC

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) 73.0 A 73A 70.0 A

上升时间 80 ns - 20 ns

输入电容(Ciss) 9000pF @25V(Vds) 5400pF @25V(Vds) 10200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 520 W - 450 W

下降时间 50 ns - 4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 520W (Tc) 500W (Tc) 450W (Tc)

额定功率 520 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.045 Ω - -

极性 N-Channel N-CH -

阈值电压 4 V - -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

宽度 25.42 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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