IXGN120N60A3和IXGN80N60A2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXGN120N60A3 IXGN80N60A2

描述 Igbt 200A 600V Sot-227BTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 4Pin SOT-227B

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 SOT-227-4 SOT-227-4

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

额定功率(Max) 595 W 625 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

输入电容(Cies) 14.8nF @25V -

长度 - 38.2 mm

宽度 - 25.07 mm

高度 - 9.6 mm

封装 SOT-227-4 SOT-227-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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