对比图
型号 JANTX2N6798 JANTXV2N6798U 2N6798
描述 Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PINTrans MOSFET N-CH 200V 5.5A 18Pin LLCCTrans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin TO-39
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类
引脚数 3 18 3
封装 TO-205 LLCC TO-205
输入电容(Ciss) - 740pF @25V(Vds) -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25000 mW 25000 mW 25000 mW
耗散功率 - - 25000 mW
封装 TO-205 LLCC TO-205
产品生命周期 Active Active Active
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - - Lead Free