对比图
型号 CY7C1412KV18-333BZC CY7C1412KV18-333BZXI
描述 36 - Mbit的QDR ？ II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165
位数 18 18
存取时间 1 ms 30 ns
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
供电电流 - 750 mA
电源电压(Max) - 1.9 V
电源电压(Min) - 1.7 V
高度 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991