SI7848BDP-T1-GE3和SI7848DP-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7848BDP-T1-GE3 SI7848DP-T1-E3 SI7848BDP-T1-E3

描述 Single N-Channel 40V 0.009Ω SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SO-8 SO-8

引脚数 8 - -

耗散功率 4.2W (Ta), 36W (Tc) 1.83W (Ta) 4.2W (Ta), 36W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -

耗散功率(Max) 4.2W (Ta), 36W (Tc) 1.83W (Ta) 4.2W (Ta), 36W (Tc)

极性 N-Channel - -

连续漏极电流(Ids) 47.0 A - -

输入电容(Ciss) 2000pF @20V(Vds) - 2000pF @20V(Vds)

封装 SO-8 SO-8 SO-8

长度 6.15 mm - -

宽度 5.15 mm - -

高度 1.04 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

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