CYD18S18V18-200BBAXC和CYD18S18V18-200BBAXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CYD18S18V18-200BBAXC CYD18S18V18-200BBAXI CYD18S18V18-167BBAXI

描述 CYD18S18V18 系列 18 Mb (256 K x 72) 1.8 V 3.3 ns 双端口 静态 RAM FBGA-256CYD18S18V18 系列 18M (1M x 18) 200MHz FullFlex™ 同步 SDR 双端口 SRAMCYD18S18V18 系列 18 Mb (256 K x 72) 1.8 V 4 ns 双端口 静态 RAM FBGA-256

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 256 256 256

封装 FBGA-256 FBGA-256 LBGA-256

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

位数 18 18 18

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

频率 200 MHz - -

电源电压(DC) 1.42V (min) - -

时钟频率 77.0 MHz - -

存取时间 3.3 ns 9 ns, 5 ns -

内存容量 2250000 B - -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V -

高度 1.25 mm - 1.25 mm

封装 FBGA-256 FBGA-256 LBGA-256

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.b 3A991.b.2.b 3A991.b.2.b

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