BUZ78和STP2N80

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUZ78 STP2N80 2SK952

描述 SIPMOS大功率晶体管(N沟道增强型雪崩额定) SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORTO-220AB N-CH 800V 2.5A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) FUJI (富士电机)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220 TO-220

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 1.5A 2.4A 2.5A

封装 TO-220 TO-220 TO-220

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

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