0805S8F5362T5E和MCR10EZHF5362

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 0805S8F5362T5E MCR10EZHF5362 MCR10FZHF5362

描述 0805 53.6kΩ ±1% 0.125W(1/8W) ±100ppm/℃0805 53.6kΩ ±1% 0.125W(1/8W) ±100ppm/℃RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 0.125W, 1%, 100ppm, 53600ohm, SURFACE MOUNT, 0805, CHIP

数据手册 ---

制造商 UNI-ROYAL ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 电阻

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装(公制) 2012 2012 -

封装 0805 0805 -

额定电压(DC) - 150 V -

额定功率 0.125 W 125 mW -

产品系列 - MCR -

电阻 53.6 KΩ 53.6 kΩ -

阻值偏差 ±1 % ±1 % -

长度 2 mm 2.00 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm -

高度 - 550 µm -

封装(公制) 2012 2012 -

封装 0805 0805 -

温度系数 ±100 ppm/℃ ±100 ppm/℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

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