ATP108-TL-H和TP10-8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ATP108-TL-H TP10-8 TP-108

描述 -50A,-40V,P沟道MOSFETPower Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0104ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN AND LEAD FREE, ATPAK-3/2Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 40V, 0.0104ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN AND LEAD FREE, ATPAK-3/2

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Sanyo Semiconductor (三洋) Sanyo Semiconductor (三洋)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 3 - -

封装 TO-252-3 - -

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.008 Ω - -

耗散功率 60 W - -

漏源极电压(Vds) 40 V - -

上升时间 340 ns - -

输入电容(Ciss) 3850pF @20V(Vds) - -

额定功率(Max) 60 W - -

下降时间 290 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 60W (Tc) - -

封装 TO-252-3 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -

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