对比图
型号 H5015 STL35N15F3 IRFH5015TRPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT AND HALOGEN FREE, PLASTIC, QFN-8Trans MOSFET N-CH 150V 33A 8Pin Power Flat T/RINFINEON IRFH5015TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 150 V, 0.0255 ohm, 10 V, 5 V 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 - PowerFLAT-5x6-8 PQFN-8
额定功率 - - 250 W
通道数 - 1 1
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - 35.5 mΩ 0.0255 Ω
极性 - - N-Channel
耗散功率 - 80 W 3.6 W
阈值电压 - 4 V 5 V
输入电容 - - 2300 pF
漏源极电压(Vds) - 150 V 150 V
漏源击穿电压 - 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) - - 10A
上升时间 - 11 ns 9.7 ns
输入电容(Ciss) - 1905pF @25V(Vds) 2300pF @50V(Vds)
下降时间 - 20 ns 3.4 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) - 80W (Tc) 3.6W (Ta)
额定功率(Max) - 80 W -
长度 - - 5 mm
宽度 - - 5 mm
高度 - - 0.83 mm
封装 - PowerFLAT-5x6-8 PQFN-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17