对比图
型号 MG30J6ES50 MWI30-06A7 BSM30GD60DLC
描述 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)Trans IGBT Module N-CH 600V 45A 140000mW 18Pin E2Trans IGBT Module N-CH 600V 40A 135000mW 17Pin EconoPACK 2A
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 - Chassis Screw
引脚数 - 18 17
封装 - E2 ECONO-2
耗散功率 - 140000 mW 135 W
击穿电压(集电极-发射极) - 600 V -
输入电容(Cies) - 1.6nF @25V -
额定功率(Max) - 140 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ 40 ℃
耗散功率(Max) - 140000 mW 135000 mW
封装 - E2 ECONO-2
长度 - - 107.5 mm
宽度 - - 45 mm
高度 - - 17 mm
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -