对比图
型号 MT29F2G08ABBEAHC-IT:E MT29F2G08ABBEAHC:E TC58NYG1S3EBAI4
描述 SLC NAND Flash Parallel 1.8V 2Gbit 256M x 8Bit 63Pin VFBGA TraySLC NAND Flash Parallel 1.8V 2Gbit 256M x 8Bit 63Pin VFBGA TrayEEPROM Serial 2G-bit 256M x 8 1.8V 63Pin TFBGA
数据手册 ---
制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Toshiba (东芝)
分类 存储芯片Flash芯片EEPROM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 63 63 63
封装 VFBGA-63 VFBGA-63 VFBGA
位数 8 8 8
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃
工作电压 1.80 V 1.80 V -
供电电流 20 mA 20 mA -
内存容量 250000000 B 250000000 B -
电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V -
封装 VFBGA-63 VFBGA-63 VFBGA
高度 0.65 mm - -
工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tray Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 -
ECCN代码 - 3A991.b.1.a -