对比图
型号 SI9926BDY-T1-E3 SI9926BDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3
描述 MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOICMOSFET 20V 8.2A 2W 20mohm @ 4.5VTrans MOSFET N-CH 20V 8A 8Pin SOIC N T/R
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
极性 - Dual N-Channel -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) - 6.20 A -
额定功率(Max) 1.14 W 1.14 W 3.1 W
输入电容(Ciss) - - 1200pF @10V(Vds)
漏源极电阻 0.03 Ω - -
耗散功率 1.14 W - -
漏源击穿电压 20 V - -
热阻 90℃/W (RθJA) - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm - -
高度 1.55 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free